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    以創(chuàng )新型存儲掘金百億表計市場(chǎng),富士通FRAM+NRAM引領(lǐng)計量存儲技術(shù)變革

    發(fā)布時(shí)間:2019-07-16 作者: 來(lái)源: 瀏覽:2570

    過(guò)去十年,智能電表大范圍替代傳統電表的產(chǎn)業(yè)轉變,成為工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)高速發(fā)展的一個(gè)縮影。中商產(chǎn)業(yè)研究院相關(guān)報告指出,預計2021年全球智能電表市場(chǎng)營(yíng)收規模將達142.2億美元,與2016年的88.4億美元、2017年的97.2億美元相比,年均復合增長(cháng)率約10%。而Navigant Research研究報告指出,中國在2018年第一季度持續引領(lǐng)全球智能電表市場(chǎng),安裝量超過(guò)4.96億臺,占全球總量的68.4%,并正在向下一代智能電表發(fā)展。

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    圖1:中商產(chǎn)業(yè)研究院預測2021年全球智能電表市場(chǎng)營(yíng)收規模

    由此看來(lái),中國智能電表行業(yè)已全面落地,這是否意味著(zhù)電表市場(chǎng)將趨于平穩?非也。智能電表屬于強制檢定設備,到期需要更換,更換周期一般為5-10年。值得一提的是,國家電網(wǎng)發(fā)布智能電網(wǎng)規劃、并啟動(dòng)大規模智能電表安裝的時(shí)間點(diǎn)正是2009年,這表示中國的智能電表市場(chǎng)正處于集中替換周期。對于智能電表行業(yè)的供應鏈而言,無(wú)疑是重磅的利好消息!日前,電子元器件(上海)有限公司產(chǎn)品管理部總監馮逸新在一次公開(kāi)研討會(huì )上表達了同樣的觀(guān)點(diǎn):“智能表計行業(yè)是長(cháng)期關(guān)注的重點(diǎn)業(yè)務(wù),在未來(lái)幾年具有很大的市場(chǎng)潛力?!睂Υ?,推出了眾多創(chuàng )新型存儲產(chǎn)品,如FRAM鐵電存儲器在智能電表行業(yè)已經(jīng)作為標準存儲器被廣泛采用,在中國、歐洲、北美等地區擁有很大的市場(chǎng)占有率,比如威勝集團、海興電力、林洋能源、Itron、西門(mén)子等業(yè)界主流的電表供應商都是富士通FRAM的客戶(hù)。

    累計出貨超八千萬(wàn),富士通FRAM強勢進(jìn)擊電表市場(chǎng)

    工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)的蓬勃發(fā)展,對數據鏈上如數據采集、數據記錄、數據處理等各個(gè)環(huán)節的應用提出了更高的要求。對于智能電表而言,數據記錄及存儲需要考慮準確記錄、非易失性、耐久度等多個(gè)方面的需求。因此,智能電表方案商需考慮挑選合適的存儲產(chǎn)品予以應對。馮逸新稱(chēng):“富士通FRAM在需要準確記錄和存儲智能電表重要數據的應用中、發(fā)揮著(zhù)關(guān)鍵作用。例如電表使用的重要數據,需要在非常短的間隔(1-3次/秒)里保存在存儲器,并確保掉電情況下數據依然完整?!?/span>

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    圖2:智能電表選用FRAM可確保掉電情況下數據依然完整

    以256Kb獨立FRAM存儲器為例,每寫(xiě)入1Byte數據,所需時(shí)間僅為150ns。因此,富士通FRAM在智能電表應用中帶來(lái)了關(guān)鍵的優(yōu)勢:掉電保護重要數據。國家電網(wǎng)公司也有規定,重要數據必須以1次/秒的頻率實(shí)時(shí)記錄到存儲器,按照智能電表10年運行周期來(lái)計算,存儲器需達到寫(xiě)入次數為:1*60*60*24*365*10=3.2億次。當前,單片FRAM寫(xiě)入次數壽命高達10萬(wàn)億次,而EEPROM僅有百萬(wàn)次。顯然,選用高速、高讀寫(xiě)耐久性的富士通FRAM能夠滿(mǎn)足數據寫(xiě)入性的要求,并在掉電或者其它異常情況發(fā)生時(shí),能確保重要數據的完整記錄,從而確保電力產(chǎn)業(yè)的準確收費。馮逸新自豪地表示:“富士通FRAM在智能電表行業(yè)已深耕10年之久,內置有富士通FRAM的智能電表是當前電力公司所追求的理想解決方案!2018年,富士通FRAM面向全球電表客戶(hù)已累計交貨8,000萬(wàn)片,為智能電表行業(yè)提供高性能、高可靠的存儲方案!”

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    圖3:面向全球電表客戶(hù)的富士通FRAM產(chǎn)品已累計交貨8,000萬(wàn)片

    不僅如此,在物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代,企業(yè)與消費者對數據保密與安全的認知進(jìn)一步提升。若遇到黑客違法盜取及分析電表的機密數據,將導致大范圍的信息泄露。對此,富士通FRAM賦予了智能電表應用的另一優(yōu)勢,就是防止黑客盜竊或篡改數據。當黑客的篡改事件發(fā)生時(shí),低功耗和高速的FRAM可以利用給RTC供電的小型電池電源,瞬間消去重要數據,從而確保電力用戶(hù)的信息安全。例如FRAM僅需0.1mA的工作電流,就能夠在0.3ms的時(shí)間內擦除256bit的數據,相比EEPROM擁有顯著(zhù)的優(yōu)勢。

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    圖4:智能電表防止黑客盜竊或篡改信息的系統構成及FRAM高速擦除數據的優(yōu)勢

    基于FRAM實(shí)現低成本“通用”智能表計方案

    經(jīng)過(guò)智能電表市場(chǎng)的長(cháng)期驗證,富士通FRAM產(chǎn)品在不斷優(yōu)化性能與降低成本的同時(shí),也逐步轉向更廣泛的智能表計市場(chǎng),如水表、熱表、燃氣表等領(lǐng)域?!八?、氣表這些行業(yè)與電表的市場(chǎng)規律有一定的差異,”馮逸新表示,“最明顯的一點(diǎn)就是水表、氣表必須選用電池供電,而非電表那樣可直接接入電源,因此低功耗成為了水、氣表方案最關(guān)鍵的需求?!?/span>

    據介紹,富士通FRAM在近幾年也逐漸打入全球智能水、氣表的主流供應鏈,成為準確記錄和存儲智能水、氣表重要數據的標準元件。富士通FRAM在智能水、氣表中的應用,與智能電表類(lèi)似,如非易失性與高寫(xiě)入耐久性確保了準確、可靠的數據記錄。此外,由于水、氣表使用電池供電,FRAM擁有超低功耗的特性使之備受方案商的青睞。以64Byte數據寫(xiě)入為例,FRAM的功耗僅僅是EEPROM的1/440,可以輕松應對實(shí)時(shí)、頻繁存儲數據的工作模式,這不僅大大延長(cháng)了電池壽命,更有助于電池與設備的小型化。

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    圖5:富士通FRAM在智能水、氣表計中的應用

    在實(shí)際應用中,富士通建議采用超低容量FRAM (4Kbit)與EEPROM并用,幫助實(shí)現低成本的電、水、氣、熱智能表計方案。馮逸新表示:“智能電表,特別是單相電、水、氣、熱表對方案成本的要求非??量?,采用FRAM與EEPROM并用的方案設計可實(shí)現智能表計的高可靠性與安全性,并在整體方案架構上省去用于EEPROM掉電保護的大電容,從而有效地降低系統整體的BOM成本?!?/span>

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    圖6:基于FRAM打造低成本的智能表計方案

    性能突破、造價(jià)更低,下一代存儲“神器”NRAM已在路上!

    如上文提及,富士通FRAM已經(jīng)能夠滿(mǎn)足智能表計應用的各類(lèi)需求,但富士通已投入開(kāi)發(fā)與試產(chǎn)下一代高性能存儲產(chǎn)品——NRAM。NRAM是富士通與Nantero公司協(xié)議授權后,共同打造的下一代顛覆性新型存儲器,因為它同時(shí)繼承了FRAM的高速寫(xiě)入、高讀寫(xiě)耐久性,又具備與NOR Flash相當的大容量與造價(jià)成本,并實(shí)現很低的功耗。以智能表計方案為例,使用一個(gè)NRAM就可以替代電、水、氣、熱表中的Flash、FRAM和EEPROM等所有存儲單元,不僅減少了存儲器的使用數量,也有利于系統工程師簡(jiǎn)化設計上的難度。

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    圖7:基于富士通NRAM可簡(jiǎn)化智能表計方案設計

    作為NRAM的第一代產(chǎn)品,16M bit的DDR3 SPI接口產(chǎn)品最快將于2020年底上市,勢必引發(fā)存儲行業(yè)的新一輪變革。馮逸新自信地表示:“NRAM既繼承了FRAM的高性能,又具有替換NOR Flash大容量的特點(diǎn),我們堅信這必將是一個(gè)劃時(shí)代的存儲器解決方案!敬請期待!”

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